東芝　半導体回路の微細化技術を開発へ 2015/02/06

東芝は、2015年2月5日、韓国SKハイニックス社と次世代半導体露光技術「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)」の共同開発をすると発表した。開発費用を折半。2015年4月から開発を開始し、2017年の実用化を目指す。

NILは半導体メモリーの回路線幅をより微細化する半導体露光装置候補の1つ。微細の凹凸がついた原板をウエハーに押しつけて半導体回路を形成する。

東芝は回路線幅が15ナノメートルのNAND型フラッシュメモリーを2014年から量産。既存技術では微細化の限界とみられている。半導体メモリーの回路線幅をより微細化し、性能向上やコスト競争力の強化につなげる。

東芝　半導体回路の微細化技術を開発へ